随着科技快速演进,电子行业对制程精度与材料纯度的要求日益提高。特种气体,作为制造工艺中不可或缺的原材料,广泛应用于半导体、显示面板、光电器件等核心领域的多个环节,特别是在刻蚀、清洗、掺杂、薄膜沉积等关键工序中扮演着至关重要的角色。
在晶圆图案形成过程中,干法刻蚀利用等离子体将多余材料选择性去除。常用的刻蚀气体包括:
氟类气体:如六氟化硫(SF₆)、四氟化碳(CF₄)、三氟甲烷(CHF₃),用于硅、二氧化硅等材料的刻蚀;
氯类气体:如氯气(Cl₂)、三氯化硼(BCl₃),常用于金属层如铝、钨的刻蚀。
这类特气要求纯度极高,以防微量杂质影响刻蚀图形精度。
晶圆制程中的颗粒、氧化物、金属离子污染等,必须通过气体清洗手段去除。典型应用气体有:
高纯氢气(H₂)+高纯氮气(N₂)混合气:用于退火与表面还原;
臭氧(O₃)或氟气(F₂):在部分干式清洗中,用于高效去除有机杂质。
掺杂是改变硅片导电性能的核心工艺,使用含有杂质元素的特种气体注入晶圆中,如:
磷烷(PH₃):用于N型掺杂;
硼烷(B₂H₆):用于P型掺杂;
砷烷(AsH₃):用于特定高性能器件的N型掺杂。
这些气体具有高毒性和高反应性,必须配合完善的输送与排放系统。
氧气(O₂)+氩气(Ar):在ITO透明导电膜溅射过程中用于控制气氛与能量传递;
氮气(N₂)或高纯氢气(H₂):用于OLED工艺中有机金属层的保护气氛;
硅烷(SiH₄):用于形成薄硅膜(如a-Si)结构,是TFT背板制程的基础。
OLED或液晶显示面板的精密图形制作中也会涉及刻蚀与去残留工艺,常用CF₄、CHF₃、Ar等气体配合等离子刻蚀系统使用。
光电传感器、激光器、太阳能电池等光电子器件对材料的掺杂浓度和介质薄膜的质量要求极高。
高纯氮气(N₂):用于提供无氧、无水环境,确保材料不被氧化;
氨气(NH₃):常用于氮化镓(GaN)等氮化物半导体的生长;
砷烷(AsH₃)、磷烷(PH₃):用于化合物半导体的掺杂,如InP或GaAs器件。
在光伏行业中,特气如SiH₄和H₂也用于形成非晶硅或微晶硅薄膜。
随着制程节点从微米级向纳米级不断迈进,电子制造对特种气体提出了更为苛刻的性能指标,主要体现在以下几个方面:
在半导体和显示器件制造中,哪怕是微量的杂质(如水分、氧气、金属离子)都可能造成晶圆缺陷或器件性能下降。为满足这些需求,电子级特种气体的纯度通常需要达到99.9999%(6N)甚至更高,部分气体还需控制特定杂质在ppb(十亿分之一)或ppt(万亿分之一)级别。这对生产工艺、气瓶洁净处理、管路系统等提出了极高标准。
在掺杂、刻蚀等环节,特种气体往往需要与其他气体按特定比例混合,并通过质量流量控制器(MFC)精确控制流量。例如,CVD工艺中对SiH₄、NH₃、H₂等气体的混比和流量要求误差不超过±1%。任何波动都可能影响膜层厚度均匀性、晶体结构或器件特性。
许多电子用气属于剧毒、易燃、强腐蚀性或高反应活性气体,如砷烷(AsH₃)、磷烷(PH₃)、硼烷(B₂H₆)、氟气(F₂)等,一旦泄漏可能造成人身伤害或火灾爆炸。为此,生产与使用环节必须配备:
气体泄漏报警器与排风系统;
自动紧急切断系统(EMO);
废气处理系统(如酸碱洗涤塔、燃烧分解塔);
定期进行压力测试、气瓶检测与气体追溯管理。
随着全球电子产业对特气依赖度加深,一旦上游供应中断,将可能影响整个产线运行。因此,特气供应商需要具备:
多渠道原料来源;
多区域产能布局;
客户侧建站、槽车配送、气站自动切换等配套服务;
ISO 9001、ISO 14001、电子级气体认证等体系保障。
尽管特种气体在整个电子产品中所占体积或成本极小,但它们在制造过程中起到的作用却至关重要。它们不仅参与了材料的构建和性能调整,更深刻地影响着产品良率、可靠性以及最终性能表现。因此,特种气体被誉为电子产业中的“隐形基石”。
随着摩尔定律的持续演进和新兴技术(如AI芯片、柔性显示、光通讯等)的兴起,电子制造正朝着更高精度、更复杂结构、更绿色环保方向发展,这也对特种气体提出了新的要求:
在先进制程节点(3nm、2nm)中,特气纯度与配比控制的难度不断提升;
在显示技术创新(如MicroLED、OLED卷轴屏)中,特气的应用场景更加多样;
在绿色制造转型中,低温等离子气体、低GWP替代气体、回收再利用系统将逐步推广。
可以预见,未来谁能在特种气体纯化、应用工艺配合、安全交付与可持续能力上持续创新,谁就能更好地服务电子产业,并在全球供应链中占据关键一环。
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